我新一代雷達核心部件材料實現國産化
- 發佈時間：2015-07-07 01:31:08 來源：科技日報 責任編輯：羅伯特
科技日報濟南7月6日電 （通訊員辛鵬波 記者王延斌）近日，我國自主研製的4英寸高純半絕緣碳化矽（SiC）襯底産品面世。中國電子材料行業協會組織的專家認為，該成果國內領先，已達到國際先進水準。
碳化矽基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達系統的核心。長期以來，碳化矽基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化矽襯底産品生産、加工難度大，一直是國內空白，國際上只有少數國家掌握該技術，並一直對我國進行技術封鎖和産品禁運。
據了解，碳化矽基微波器件作為當今世界最為理想的微波器件，其功率密度是現有微波器件的10倍，將成為下一代雷達技術的標準，美軍干擾機和“宙斯盾”驅逐艦的相控陣雷達已開始換裝碳化矽基微波器件産品，軍用市場將在未來幾年推動碳化矽基微波器件的快速發展。可以説，研製高純半絕緣碳化矽襯底材料是我國新一代雷達系統獲得突破的核心課題之一。
項目研發者、山東天岳公司負責人表示，4英寸高純半絕緣碳化矽半導體材料的研製成功使我國擁有了自主可控的重要戰略半導體材料，它將是新一代雷達、衛星通訊、通訊基站的核心，並將在機載雷達系統、地面雷達系統、艦載雷達系統以及彈載雷達系統等領域實現應用。
