我建成亞洲最大寬禁帶碳化矽基地
- 發佈時間：2015-01-26 01:30:57 來源：科技日報 責任編輯：羅伯特
科技日報訊 （通訊員辛鵬波 記者王延斌）近日，記者從中國寬禁帶功率半導體産業聯盟獲悉，國家重大科技成果轉化及山東省重點建設項目——山東天岳先進材料科技有限公司功能器材用碳化矽襯底項目順利完工，標誌著我國建成亞洲規模最大的寬禁帶碳化矽半導體材料生産基地。
據悉，寬禁帶碳化矽半導體材料是第三代半導體核心材料，目前正在逐步取代硅(Si)晶等傳統材料，成為新一代高端半導體行業的主要生産材料。寬禁帶碳化矽半導體材料廣泛應用於半導體電力電子器件、微波器件、光電子器件等領域，對我們國家的産業轉型升級和國防戰略安全具有重要意義。但由於寬禁帶半導體碳化矽半導體材料存在巨大的技術和工業化瓶頸，世界上只有少數幾個企業和科研機構掌握，至今一直對我國實行禁運封鎖，嚴重制約我們國家新一代半導體産業的發展。
目前建成的生産基地佔地191畝，總建築面積8萬平方米，設備全部達産後將形成年産35萬片碳化矽襯底的生産能力，將徹底改變我國寬禁帶碳化矽半導體材料受制於人的局面，帶動我國碳化矽産業鏈快速發展，形成千億級的碳化矽半導體産業集群。
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