圖文:湖北邁向中國記憶體中心
- 發佈時間:2016-03-29 16:29:20 來源:湖北日報 責任編輯:羅伯特
湖北日報訊 圖為:位於光谷智慧製造産業園的國家積體電路産業項目效果圖
記者李墨 劉天縱
昨日,醞釀3年之久的國家積體電路産業項目,落子湖北。
未來幾年,武漢光谷東,將隨著千億項目的注入,崛起一座龐大的晶片之城。
240億美元將投向何處?
它將給武漢光谷、給湖北、給中國帶來怎樣的産業煥變?
2018年量産240億美元投向四大方面
武漢新芯積體電路製造有限公司執行副總裁陳少民透露,總投資240億美元的國家積體電路産業項目,預計2018年量産,2020年實現月産能30萬片。
這筆巨大的投入,將主要用於4個方面。首先是研發,包括工藝研發、晶片研發和系統研發。其次是項目基建,國家積體電路産業基地分三期建設,昨日啟動的為一期,2018年量産後,同步啟動二期、三期建設。至2020年前,一、二、三期全部建成。第三是儀器投入。最後,構建全産業鏈,把“一棵樹”變成“一片林”。
陳少民説,當産能達到30萬片時,該基地員工將達1.7萬人。除了以武漢新芯為核心的記憶體本廠,還將在左嶺規劃3萬人的住宅區,帶來大量就業與上下游的配套。
他估算,圍繞該基地,至少將吸引幾百家配套廠商入駐,包括主控晶片公司、模組公司、封裝公司、測試公司等,全産業鏈打造。
2020年彎道超車17億顆晶片點亮“芯”湖北
目前,世界記憶體主要使用DRAM(關機後丟失數據)和NAND(關機後保留數據)兩種技術,絕大部分應用於個人電腦、伺服器和智慧手機。
關於記憶體産品路徑選擇,到底是傾向於發展目前市場主流的記憶體DRAM産品,還是代表未來發展趨勢的3D NAND産品,此前一直存在爭論。
最終,湖北決定保持和國際記憶體大廠同樣的路線:3D NAND。
2020年,國家積體電路基地30萬片月産能中,約20萬片為3D NAND記憶體,10萬片為DRAM記憶體。
陳少民稱,發展3D NAND立體堆疊存儲技術,是由於在生産工藝的物理極限上,2D快閃記憶體已經無法繼續突破。
智慧手機、電腦、雲計算的廣泛應用,都需要大量存儲。相比之下,2D快閃記憶體就像是停車場,而3D NAND則是立體停車場。不僅如此,新技術也比2D快閃記憶體性能更強,功耗更低,可靠性更高,將逐步取代後者。
去年5月,武漢新芯3D NAND項目研發取得突破性進展,第一個具有9層結構的存儲測試晶片,通過記憶體功能的電學驗證。
20萬片3D NAND,折合晶片是多少顆?陳少民説,一個12寸的硅片上有700顆晶片,這意味著,該基地2020年一年將製造出17億顆晶片。
“這將是湖北積體電路彎道超車的重要機會”,他認為,從市場分析看,2014年全球NAND記憶體有298億美元市場,DRAM達430億美元,中國市場巨大,但晶片和記憶體長期依賴進口,自佔率非常少。
當該基地3D NAND月産量達到30萬片時,將佔全球市場的11%至13%。“那時候中國NAND的市場,可能達到世界近一半”。
躋身國家戰略打造中國記憶體中心
武漢新芯CEO楊士寧博士認為,儘管我們的記憶體産業還處在起步階段,但面臨非常難得的歷史機遇。去年,全球記憶體市場總額達835億美元,約佔全球積體電路市場份額的25%,年均增長率約10%。
物聯網和智慧化時代的到來,使記憶體變得愈發重要,大數據、雲計算乃至人們生活點點滴滴的保存,都離不開記憶體。在IC産業總産值中,記憶體佔1/3以上。
我國是全球最大的積體電路進口國,僅2014年進口額就高達2176.2億美元,積體電路也是我國進口額最大的産品,其中記憶體佔進口額的24.9%。
記憶體關係國家資訊安全,但核心技術卻被少數國際巨頭壟斷。楊士寧認為,中國要想在積體電路産業快速突破並打造“中國芯”,發展記憶體産業是破題點,也是必由之路。
陳少民説,隨著項目落地,目前湖北積體電路産業投入,在各省之中是最大的,這將引發虹吸效應,拉動人才、配套和上下游的集聚,將湖北打造成為中國記憶體的中心。
記者手記
人才洼地,呼喚更多“知芯”朋友
劉天縱 李墨
昨日,光谷左嶺,禮炮聲聲,這裡千畝寂靜的黃土地,轉眼將變成中國晶片人圓夢的熱土。
在隨後召開的高峰論壇上,幾乎半數嘉賓全英文發言。PPT上各種專業示意圖、微電子專業術語、公式代碼、奈米級剖面圖……令人眼花繚亂。
一組廣被嘉賓引用的數據,讓人心動——1元錢投入積體電路産業,産能釋放後,可放大10倍,把整個産業鏈加起來能放大100倍。
乘數效應的背後,起決定作用的還是人的智慧與汗水。
按照規劃,武漢基地項目在2020年需要3萬人就業,2030年則需要吸納10萬人。華中科技大學武漢國際微電子學院副院長繆向水坦言,單靠武漢的相關院校根本培養不了這麼多微電子人才。
這需要我們制定切實可行的專業人才引進政策,召喚“知芯”朋友來漢創業。
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