世界級記憶體基地落戶武漢 總投資達240億美元
- 發佈時間：2016-03-28 14:22:00 來源：中國新聞網 責任編輯：羅伯特
中新社武漢3月28日電 (張姍妮 徐金波)總投資240億美元(約1600億元人民幣)的中國國家級記憶體基地項目，28日在武漢東湖高新區開工建設。
當天開建的中國國家級記憶體基地項目，位於武漢東湖高新區的光谷智慧製造産業園，建設內容包括晶片製造、産業鏈配套等，將在5年內投資240億美元，預計到2020年形成月産能30萬片的生産規模，到2030年建成每月100萬片的産能，進而成為世界級的記憶體基地。
該項目建成後，可以帶動設計、封裝、製造、應用等晶片産業相關環節的發展，集合已經在武漢東湖高新區形成規模的顯示産業(天馬、華星光電)、智慧終端(華為、聯想、富士康)等産業，打造萬億級的晶片-顯示-智慧終端全産業鏈生態體系，將成為中國乃至全球最密集的電子資訊産業基地。
2006年，為推動中國積體電路産業發展，加速記憶體基地項目建設，湖北省、武漢市和東湖高新區投資100億元人民幣建設了武漢新芯12英寸晶圓製造項目。經過10年的打造，武漢新芯已成為中國唯一以記憶體為主的積體電路製造企業。
在此基礎上，湖北省、武漢市、東湖高新區共同設立了500億元人民幣湖北積體電路産業專屬投資基金，用於記憶體生産研發以及産業鏈上下游項目建設。目前，武漢東湖高新區初步形成了涵蓋設計、製造、封裝等比較完整的産業鏈，成為中國重要的積體電路産業聚集區之一。(完)
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