日前，銳迪科（RDA）宣佈推出RDASW29 系列射頻開關，此系列開關採用先進的SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）工藝，性能突出，在大幅度提高多模多頻LTE終端整機性能的同時，也提高了LTE射頻方案設計和配置的靈活性，將助力於LTE終端的射頻前端解決方案。

　　銳迪科(RDA)是國內首屈一指的射頻前端晶片設計公司，其業務遍佈手機通訊、無線連接和廣播通信領域等多個領域。射頻開關是射頻前端解決方案中的重要部件，已經逐步在某些應用中替代雙工器的角色。近些年在射頻前端中，由於SOI工藝開關在低控制電壓和高擲數條件下，`有著GaAs工藝開關不可比擬的優勢，SOI成為未來小型化低成本射頻開關的首選工藝。

　　據了解，RDA是國內最早一批採用SOI工藝設計射頻開關的公司，已經與多家foundry開展了戰略合作，2011年宣佈成功推出全球首款單管芯全整合的SP9T主天線開關模組，用於快速增長的多頻帶3G終端。RDA的開關産品廣泛應用於全球各大手機知名品牌，如Samsung Galaxy Star和Samsung Galaxy Pocket Neo 這兩款智慧手機採購的RDASW36開關已超千萬顆。截至目前，僅三星一家在RDA開關産品的採購量已累計超過億顆。RDA近期又推出了超小尺寸開關産品SW29系列射頻開關，該系列産品採用先進的FCQFN封裝技術，有效地縮減封裝體積，此系列産品已被南韓三星公司選定，用於旗下的多款手機産品，預計2015年下半年出貨量可達5000萬顆。

　　RDA射頻開關産品線不僅包括目前LTE射頻前端解決方案中的SP2T到SP16T等單刀多擲開關，更是為未來射頻前端載波聚合方案設計研發了高性能的多刀多擲開關，完美支援現有的“五模十二頻“方案和未來的射頻前端方案。高性能的射頻開關有助於提高複雜的LTE射頻方案的綜合性能。RDA與foundry廠保持緊密的聯繫，從工藝到電路設計全面優化，公司在研的多載波聚合方案的開關也會在近期推出。RDA在射頻開關技術領域已擁有多項專利。

　　“四年前，RDA推出全球首款採用SOI工藝的單晶片整合射頻天線開關模組”銳迪科微電子的首席執行官兼技術官魏述然表示：“在高功率低插損開關産品方面，RDA有著豐富的技術積累並持續科技創新，超小尺寸開關産品在性能和成本方面非常具有競爭力，我們相信豐富的射頻天線開關産品線能給RDA帶來更多機遇。”

　　銳迪科微電子成立於2004年，致力於射頻及混合信號晶片和系統晶片的設計、開發、製造、銷售並提供相關技術諮詢和技術服務，2010年在美國納斯達克上市，2014年被清華紫光集團收購。（項錚）