武漢新芯嵌入式 快閃記憶體工藝進展順利
- 發佈時間：2015-01-29 09:35:41 來源：中國品質報 責任編輯：羅伯特
武漢新芯嵌入式
快閃記憶體工藝進展順利
本報訊 （記者杜 妍）1月26日，武漢新芯積體電路製造有限公司（XMC，以下簡稱武漢新芯），今日宣佈其第一個基於SST應用方案的55nm嵌入式快閃記憶體工藝驗證模組上已經取得成功，其高壓和存儲單元電性測試結果與設計目標值完全吻合，16M存儲陣列良率符合預期。這是武漢新芯低功耗嵌入式快閃記憶體技術研發的一個重要里程碑。
武漢新芯于2014年正式開始與SST合作開發高可靠性的嵌入式快閃記憶體技術。在雙方工程師的共同努力下，僅用不到1年時間就完成了技術導入、工藝設計和器件研發製造。目前，器件的高壓（HV）和單元（Cell）電性參數完全符合預期，整體電路結構兼具高可靠性和低成本，能完全滿足智慧卡和物聯網産品的需求。緊接著，武漢新芯將與合作夥伴試産智慧卡産品，以驗證終端産品功能和性能，並以此進一步優化工藝、提升良率，實現量産。
“在55nm嵌入式快閃記憶體工藝上取得的進展意味著武漢新芯正穩步推進自己55nm低功耗物聯網平臺的建設。”武漢新芯市場部副總裁黃建冬説道，“我們將繼續拓展現有的製造能力，持續完善工藝平臺，為客戶帶來更多定制化的技術與代工服務。”
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