分子存儲裝置可助 擴展快閃記憶體空間
- 發佈時間：2014-11-25 01:00:35 來源：科技日報 責任編輯：羅伯特
據新華社倫敦電 （記者劉石磊）英國新一期《自然》雜誌刊載新研究説，科研人員開發出一種分子材料，可克服傳統電子元件造成的快閃記憶體空間限制問題，使常用的相機、手機等存儲卡提升存儲能力。
快閃記憶體是一種很普遍的數據存儲技術，但由於現有的數據單元設計問題，這種存儲方式有著物理上的局限性。目前快閃記憶體裝置採用金屬氧化物半導體，而用這種材料很難生産出10個奈米單位以下大小的元件，這就限制了傳統硅晶片所能存儲的空間。
此前也有研究提出，可嘗試用單個分子替代這種金屬氧化物，從而打破物理局限性。但分子存儲材料存在耐熱性差、高電阻等許多現實障礙。為此，英國格拉斯哥大學研究人員與西班牙同行一起，利用一種被稱為“多金屬氧鹽酸”的化合物，合成出一類可發揮存儲作用的分子。實驗顯示，這種分子的結構穩定性和通電能力都符合要求，可用作快閃記憶體裝置的存儲節點。
領導這項研究的格拉斯哥大學教授李·克羅寧説，這種新材料的一大好處在於，它們可直接安裝在現有的快閃記憶體設備中，而不需要重新設計整條快閃記憶體裝置生産線，在擴大存儲空間的同時還可節約成本。
- 股票名稱 最新價 漲跌幅
