三星業內首先量産3bit 3D V-NAND快閃記憶體
- 發佈時間：2014-10-16 03:34:21 來源：西安晚報 責任編輯：羅伯特
全球先進半導體技術領軍品牌三星電子今天宣佈已經開始量産用於固態硬碟的業內首個3bit MLC 3D V-NAND快閃記憶體。
3bit V-NAND快閃記憶體是基於三星第二代V-NAND晶片技術的最新産品，每片快閃記憶體晶片由32層垂直堆疊的存儲單元組成，單片快閃記憶體的存儲容量可達128Gb。利用三星獨有的3D電荷捕獲型柵極存儲單元結構技術（3D Charge Trap Flash），各個存儲單元把電荷存儲在絕緣體中，並通過存儲單元陣列一層接一層地向上垂直堆疊，製造出含有數十億個存儲單元的晶片。該款産品單個存儲單元容量為3bit，每片晶片存儲單元陣列垂直堆疊32層，因而大大提高了生産效率。與三星的10奈米級3bit平面快閃記憶體相比，新推出的3bit V-NAND立體快閃記憶體的晶圓生産效率提高了一倍以上。
三星于2013年8月推出了第一代24層V-NAND快閃記憶體，並在今年5月宣佈了第二代32層V-NAND存儲單元陣列結構。而本月量産3bit 32層V-NAND快閃記憶體，則標誌著三星正在通過加速V-NAND量産技術的發展引領著3D存儲晶片的新紀元。
自2012年首次推出基於3bit平面快閃記憶體的固態硬碟之後，三星已經證明了市場對高密度3bit快閃記憶體固態硬碟的廣泛需求。此次推出的業內首款3bit 3D V-NAND快閃記憶體預計將大大拓展市場對V-NAND快閃記憶體的採納，使基於V-NAND的固態硬碟在有效解決大多數伺服器廠商對高耐久性存儲設備的需求的同時，將應用範圍擴大到一般個人電腦用戶。
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