鐳射器發散角相關研究入選“中國光學重要成果”
- 發佈時間：2016-05-03 02:31:23 來源：科技日報 責任編輯：羅伯特
科技日報訊 （李蓉 記者張兆軍）日前，第十一屆全國鐳射技術與光電子學學術會議暨“2015中國光學重要成果”發佈會在上海舉行。中科院長春光機所佟存柱研究員團隊“高功率極低發散角圓形光束半導體邊發射鐳射器”入選“2015中國光學重要成果”。
半導體鐳射器自1962年誕生以來已經獲得了廣泛的應用，但其依然存在一個飽受詬病的缺點，即大的發散角和橢圓出光。通常垂直方向發散角半角大於30°，水準方向10°左右，這導致較低的光束品質和較差的可聚焦性。雖然通過光學方法可改善並實現大功率直接半導體鐳射光源，但光源最終光束品質仍將受限于單元器件光束品質。針對上述難題，佟存柱研究員團隊採用雙邊布拉格反射波導結構，通過光子帶隙原理實現光場的控制，最終實現半角定義發散角小于5°的圓形光束半導體鐳射器，95%能量對應垂直髮散角僅9.8°（國際報道最好為15.6°），並且在不同電流驅動下均保持圓形光束出光，器件最高連續輸出功率4.6W，直接的光纖耦合實驗證明90%以上的耦合效率。該方法是從半導體鐳射器結構入手，有望替代目前商業化的半導體鐳射器，有著重要的應用前景。
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