Crossbar正式進入中國存儲市場
- 發佈時間：2016-03-23 01:31:00 來源：科技日報 責任編輯：羅伯特
科技日報訊 （記者劉燕）3月22日，阻變式記憶體（RRAM）技術領導者Crossbar公司宣佈正式進軍中國市場。
Crossbar公司首席執行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業發展最快的市場，亦是絕大多數産品的製造基地。憑藉我們在中國的風投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業領先的技術，我們相信將在中國消費電子、企業、移動、工業和物聯網等市場掀起新一輪電子創新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術用於中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使新的應用開發受益。”
Minassian博士還表示：“物聯網和可穿戴設備市場需要節能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術能提供片上編程和數據存儲的嵌入式記憶體模組，也可單獨作為EEPROM記憶體，是滿足這些需求的理想解決方案。”
盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士是Crossbar的首席科學家和聯合創始人，在RRAM領域積累了十二年的研究經驗，他先作為哈佛大學的博士後研究員，然後被任命為密歇根大學教授從事這項研究。他也是奈米結構和設備行業的領先專家，包括基於雙端電阻開關設備的高密度記憶體和邏輯系統、神經元電路、半導體奈米線設備和低維繫統中的電子輸運。
據了解，CrossbarRRAM技術被廣泛視為極有可能取代當前非易失性記憶體技術的有力競爭者，有望贏得這一價值600億美元的全球市場。Crossbar技術可在一個200平方毫米的晶片上存儲數個TB的數據，能夠將海量資訊，例如250小時的高清電影，存儲在比郵票還小的積體電路上，並進行回放。
憑藉簡單的三層結構，堆疊性和CMOS相容性，Crossbar能在最新的技術節點下將邏輯和存儲整合到單晶片上，實現傳統或其他非易失性記憶體技術無可比擬的存儲容量。
- 股票名稱 最新價 漲跌幅
