6英寸碳化矽單晶襯底研製成功[組圖]
- 發佈時間：2014-12-19 01:31:02 來源：科技日報 責任編輯：羅伯特
近日，中國科學院物理研究所北京凝聚態物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功研製出了6英寸碳化矽（SiC）單晶襯底。
據悉，碳化矽屬於第三代半導體材料，是製造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。
上圖 科研人員在測量6英寸碳化矽單晶襯底的尺寸（12月9日攝）。
下圖 中國科學院物理研究所陳小龍研究員在一幅演示碳化矽物理原理的圖表前展示6英寸碳化矽單晶襯底（12月17日攝）。新華社記者 金立旺攝
- 股票名稱 最新價 漲跌幅
