近期，運通極芯〈深圳）科技有限公司成功研製3D高密度硅電容器，本産品是高端應用領域的核心基礎元器件，公司擁有硅電容器製造工藝技術及相關生産設備製造技術的全部智慧財産權，技術工藝水準在國際處於領先地位。
據了解，3D高密度硅電容器的製造工藝是使用半導體的工藝工程，在5G通信，工業，醫療，汽車，軍事等領域有廣泛的市場應用。在這一領域日本的村田是全球該行業的領軍企業，且技術嚴格對外封鎖，為早日解決關鍵核心技術“卡脖子”問題，擺脫受制於人的困境，中國“運通極芯”研製團隊歷經數年困苦和磨難，無數次的實驗，終於攻克了諸多國産化技術瓶頸，尤其在半導體工藝技術上取得了重大突破。由運通極芯（深圳）科技有限公司研製出的3D高密度硅電容器，不僅各項檢驗指標均達到了國家標準要求，而且主要指標已接近國外同類産品的技術水準，是首支完成國産化的3D高密度硅電容器，填補了我國在這一領域的空白，一舉打破國際壟斷，在國內成為具備該類半導體工程即電容器（硅電容）生産製造能力的公司。
據了解，自有的高新技術與進口設備，利用半導體工藝製作的電容器，其具有高可靠性、高穩定性、耐高溫（極限溫度250℃）、高頻（60GHz），嵌入式、超薄性等優點。在國內、外目前市場上現有積層電容器的高端産品中，技術工藝水準處於領先地位。該技術應用的項目建設有助於帶動我國電容器生産技術整體水準提高，具有良好的行業示範作用，有助於促進我國電容器行業的整體發展並且該項技術填補國內技術空白。該項目産品的研製成功是運通極芯團隊堅守初心、勇擔使命的具體體現，堅持自力更生、自主創新，始終牢記發展壯大民族工業，維護國家經濟和科技進步，代表國家參與全球競爭企業初心和使命的生動實踐。
