由北京兆易創新科技股份有限公司和中芯國際聯合承擔的“超大規模積體電路先進快閃記憶體記憶體成套工藝與産品技術研發及産業化”項目，根據《北京市科學技術獎勵辦法》的規定，經市科學技術獎勵評審委員會評審，市政府批准，被授予北京市科學技術獎一等獎。

　　該項目屬於積體電路技術領域，在2008年國家科技進步獎二等獎“90奈米-65奈米極大型積體電路大生産關鍵技術研究”的成果基礎上研發出90奈米快閃記憶體産品和成套工藝，在國家02專項支援下的成果基礎上研發出65奈米快閃記憶體産品和成套工藝。項目的主要研究內容包括産品開發和成套工藝開發，主要技術創新點體現在産品開發方面及成套工藝開發方面。超大型積體電路90/65奈米NOR Flash産品應用面非常廣泛，因而其需求量也非常大。它不僅能服務像SAMSUNG、華為、中興、TOSHIBA、海爾、TCL、康佳、長虹、創維、TP-LINK等這樣的電子整機客戶，還可廣泛地應用於手持移動終端、消費類電子産品、個人電腦及其周邊，網路、電信設備、醫療設備、辦公設備及工業控制設備等領域。90/65奈米工藝及産品的産業化也將帶動國內各生産廠技術的提升。兆易創新這種無晶圓廠的設計公司和國內産業鏈的虛擬整合方式，能夠很好地保持技術的先進性。

　　據中國半導體行業協會統計的2012年中國SPI NOR Flash市場品牌結構數據，兆易創新基於本項目成果在此細分市場取得了26.3%的市場份額，為國內市場上最大的供應商。此技術開發是國內首創，填補了國內在此領域無技術及産品的空白，實現了關鍵基礎電子元器件的國産化，大幅度提升國內電子整機産業的自主能力，並推廣應用於工業、通信、醫療等各個領域，逐步改變了“高性能、低功耗”記憶體晶片只能依靠進口的局面。

　　2014年起，兆易創新計劃和代工廠繼續合作開發45奈米NOR Flash工藝及産品，進一步完善技術創新體系和制度，不斷優化人才的培養和激勵機制，合理配置科技資源，在公司內部建立資訊通暢、矢志創新、結合緊密、流程高效的産、學、研科技創新平臺，以充分發揮公司在基礎設計研究、封裝測試及市場開發等方面的優勢和資源，在45奈米工藝下繼續開發256Mb/512Mb/1Gb 大容量NOR Flash 産品。在本項目的開發過程中，公司還會聯合中科院微電子所及清華大學等科研院所，對記憶體工藝及産品進行相關品質與可靠性評估，聯合國內測試機及探針臺與機械手廠家，共同開展新工藝下産品的國産測試設備的開發，同時與封測廠開展新型封裝技術的開發，為産業鏈全本地化打通所有路徑，推進半導體領域的技術創新。

　　（李津）