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6英寸碳化矽單晶襯底研製成功

  • 發佈時間:2014-12-26 05:59:59  來源:經濟日報  作者:佚名  責任編輯:羅伯特

  近日,中國科學院物理研究所北京凝聚態物理國家實驗室(籌)先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作,成功研製出了6英寸碳化矽(SiC)單晶襯底。據悉,碳化矽是製造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。圖為研究人員在一幅演示碳化矽物理原理的圖表前展示6英寸碳化矽單晶襯底。

  新華社 金立旺攝

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