三星量産20奈米8Gb DDR4伺服器用DRAM
- 發佈時間：2014-10-29 01:31:00 來源：科技日報 責任編輯：羅伯特
三星電子通過持續不斷的創新和探索，憑藉在智慧手機、平板電腦、個人電腦、LTE通信設備、醫療設備、半導體和LED解決方案等領域的深厚積累，正在引領全球的智慧化發展。近日，三星電子宣佈已開始量産全球首款20奈米8Gb DDR4企業級伺服器用DRAM。今年下半年適用於DDR4的伺服器中央處理器已經上市，此時量産該款DRAM産品將推動高端伺服器市場從DDR3向DDR4的轉換。
基於20奈米8Gb DDR4的伺服器用DDR4記憶體模組，與基於DDR3的模組相比，數據傳送速度提升了約30%，實現了2400Mbps的超高性能。同時，相對於DDR3模組的1.5伏工作電壓，新産品只需1.2伏電壓，因而耗電量也更低。
此外，如果只基於現有的4Gb DRAM，最多只能生産出容量為64GB的記憶體模組。然而如果結合此次推出的8Gb DRAM和今年8月三星電子全球首先投入量産的硅通孔封裝技術，那麼則可以生産出最大容量為128GB的記憶體模組，從而進一步推動高密度DRAM市場的發展。此次推出的20奈米8Gb DDR4 DRAM滿足了推動下一代企業級伺服器市場發展所需的三大要素，即高性能、高密度和高節能。
三星電子在今年3月成功量産全球首款20奈米PC用DRAM之後，至今仍是業內唯一一個有能力量産20奈米DRAM的企業。此後，三星電子繼而在今年9月推出20奈米移動DRAM，加之此次推出的20奈米伺服器用DRAM，三星已經構建了足以引領“20奈米DRAM新紀元”的完整的産品線。
今後，通過把生産效率高的4Gb産品用於PC，封裝小且晶片堆疊層數少的6Gb産品用於移動設備，大容量的8Gb産品用於伺服器，三星電子將會根據用途對各種容量的DRAM産品進行優化組合，以差別化的産品戰略引領DRAM市場的發展。（和利）
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