氮化鎵（GaN）作為最新一代半導體材料，因其卓越性能備受市場關注，且在多個領域得到廣泛應用。相較于傳統的硅及其他半導體材料，氮化鎵具備高頻、高電子遷移率、強抗輻射能力、低導通電阻及無反向恢復損耗等明顯優勢。這些特性使氮化鎵功率半導體晶片在降低電源能耗、提升能源轉換效率、降低成本及實現設備小型化方面發揮關鍵作用。隨著下游應用領域的持續發展，氮化鎵功率半導體正面臨前所未有的增長機會。

英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（簡稱：英諾賽科）作為行業的佼佼者，在創始人駱薇薇博士的帶領下，始終站在功率半導體革命前沿，引領著氮化鎵功率半導體行業的創新與發展。

相關資料顯示，英諾賽科是全球首家成功量産8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業，更是全球一家能提供全電壓譜係硅基氮化鎵半導體産品的公司。據弗若斯特沙利文數據顯示，英諾賽科在2023年全球氮化鎵功率半導體公司收入排名中位居榜首，彰顯其行業領先地位。

在産業佈局方面，英諾賽科在珠海和蘇州擁有兩座先進的8英寸GaN-on-Si晶圓生産基地，採用工藝和設備確保産品高品質與高效率。同時，公司在矽谷、首爾、比利時等地設立子公司以拓展國際市場及加強合作。

英諾賽科的成功得益於其強大的核心團隊，公司擁有一支由資深專家組成的團隊，如産品應用部副總經理陳鈺林，他畢業于中國河北工程大學獲電機工程及其自動化專業，學士學位，在功率半導體及電源行業擁有豐富工作經驗，是第三代半導體氮化鎵在中國最早的市場開拓者之一，為公司的快速發展注入了強大動力。

隨著科技進步和下游應用領域的拓展，氮化鎵功率半導體市場將迎來更廣闊的發展空間。作為功率半導體領域的領跑者，英諾賽科將繼續秉承創新精神，加大研發投入，拓展産品應用領域，推動全球功率半導體行業的持續變革與發展。

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來源：東方網    | 撰稿：英諾賽科    | 責編：谷晟    審核：張淵

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