中國網7月2日訊（記者韓林） “第三代半導體産業技術創新發展大會暨2018中國創新創業大賽第三代半導體專業賽東部賽區啟動儀式”于6月30日在江蘇省張家港市舉辦。三位院士出席會議並在講話中強調了第三代半導體作為先進的戰略性新技術對科學技術、經濟社會發展所起的戰略性支撐作用，呼籲國家把握機遇、與時俱進發展新興的第三代半導體産業。

據了解，此次會議由第三代半導體産業技術創新戰略聯盟（以下簡稱“聯盟”）、亞歐第三代半導體科技創新合作中心、張家港市政府聯合主辦，張家港高新技術産業開發區、張家港市科學技術局承辦。

中國工程院院士、國家新材料産業發展專家諮詢委員會主任幹勇，中國科學院院士、南京大學教授鄭有炓，中國科學院院士、中國科學院微電子研究所研究員劉明，科技部高新技術發展及産業化司副司長曹國英，張家港市委常委、常務副市長卞東方出席會議並致辭。近300位來自第三代半導體領域的研究機構、知名企業代表相聚一堂共論發展。會議第一階段由張家港經濟技術開發區管委會副主任、張家港高新技術産業開發區管委會副主任張雷主持。

幹勇院士在致辭中指出，第三代半導體是國家新材料發展計劃的重中之重，關係到智慧電網、智慧製造、5G通訊、高端裝備、軍工等多個領域。聯盟在第三代半導體産業發展上起到了非常重要的促進作用，成為了産業技術、組織、管理、集聚人才的核心。

張家港市市委常委、常務副市長卞東方代表主辦方致歡迎詞。他介紹了張家港在科技創新引領産業轉型升級方面取得的成績，提出希望把張家港建設成為半導體産業的新高地、新標桿而努力，也希望更多的項目可以落戶張家港。

曹國英副司長在致辭中肯定了張家港科技發展的創新思路。他指出，我們要梳理第三代半導體發展思路，為産業的發展營造良好環境。聯盟在推動中國半導體照明發展的過程中積累了非常好的經驗，第三代半導體的産業發展更需要聯盟整合各方的力量共同推進。

鄭有炓院士、劉明院士、曹國英副司長等與會嘉賓共同啟動了“2018中國創新創業大賽第三代半導體專業賽（東部賽區）”。

大會報告環節由第三代半導體産業技術創新戰略聯盟于坤山秘書長主持。劉明院士做了題為“微電子與光電子技術”的精彩報告。劉明院士認為資訊化核心支撐是IC的快速發展，積體電路進一步發展呈現多元化發展趨勢。她指出微電子産業的發展特點是學科交叉度高,分工度更加細化；同時受到市場的影響，前瞻科研轉化較快。在光電子産業方面，核心光電器件依託CMOS商用平臺開發取得了重要突破，傳統微電子公司也在積極的投入到光電子産品開發中。

鄭有炓院士發表了題為“第三代半導體國內外技術及産業現狀與趨勢”的精彩演講。鄭院士指出，第三代半導體作為先進的戰略性新技術，對科學技術、經濟社會發展起著戰略性的支撐作用。以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料在高效固態光源和固態紫外探測等光電子、寬禁帶電力電子和寬禁帶射頻領域有著廣泛應用，第三代半導體産業化技術日趨成熟，産業前途極其光明。鄭院士強調，我們國家要把握機遇、與時俱進發展新興的第三代半導體産業，不斷創新産業化技術，加快創建産業生態系統。

中國電子科技集團公司首席科學家陳堂勝做了題為“高頻GaN微波功率器件及其技術發展”的精彩報告。陳堂勝指出，SiC基GaN HEMT同時具備高頻率、高輸出功率、抗輻照等特性，是高頻高功率固態微波功率器件發展方向，GaN HEMT功率器件及MMIC已經全面進入工程應用，國內已建立體系性GaN功率器件産品技術，實現了裝備應用自主保障。陳堂勝還指出，材料結構的創新是實現GaN微波功率器件邁向更高工作頻率的關鍵，目前中電科55所實現了多款具有國際領先水準的高頻GaN功率MMIC研製。 

福州大學嚴群教授發表了題為“MicroLED-推動下一代顯示技術革命”演講，嚴教授從顯示技術的演進出發，介紹了演示技術發展歷程和趨勢。他重點指出MicroLED的應用是非常廣泛的，幾乎能滿足現在所有顯示的需求，是顯示方面下一代的優秀技術，但距其成為主流的顯示技術還有諸多的挑戰和困難需要我們去克服。

株洲中車時代電氣股份有限公司副總工程師劉國友發表了題為“新能源汽車與功率半導體技術”的精彩演講。劉國友指出，現階段Si IGBT器件廣泛應用於各種電力電子裝置中，在很大提高了我們的生活品質和舒適性，而新興的SiC MOSFET器件在新能源汽車領域有著廣泛的應用前景。高電流密度、溝槽柵SiC、基於全銅工藝技術的功率模組、多功能整合式功率模組是新能源汽車用功率模組的技術發展趨勢。

IDG資本合夥人俞信華作為投資界的代表做了題為“第三代半導體投資分析”的報告。俞信華重點闡述了第三代半導體的在光電器件、射頻器件和電力電子器件的應用情況和全球的競爭格局。他指出，目前半導體行業面臨的挑戰以及對高性能器件日益增長的需求推動了第三代半導體的發展，第三代半導體具備改變半導體整個産業鏈的潛力，即使目前還存在挑戰而且存在部分困境，IDG資本將進行更靈活的投資策略來擁抱寬禁帶半導體産業機會。

在大會對話環節，趙玉海、郭太良、沈波、盛況、陳堂勝、俞信華、朱廷剛、丁國華8位嘉賓圍繞第三代半導體的創新戰略展開討論。大家一致認為要積極發揮聯盟的作業，共同構建健康的産業生態環境，早日實現材料強國的夢想。

此次會議期間，主辦方還召開了Micro-LED技術研討暨CASA Micro-LED專委會成立會議、新能源汽車用第三代半導體器件檢測及標準研討會兩個重要的工作會議。CASA Micro-LED專委會由劉明院士出任主任，副主任由福州大學郭太良教授、南昌大學江風益副校長、北京大學沈波教授擔任，香港科技大學、南京大學、復旦大學、上海大學、南京55所平板顯示技術中心、廣東省半導體産業技術研究院、京東方、TCL、海信、長虹、創維、上海天馬微電子、三安、華燦、乾照、易美芯光、國星、瑞豐、萬潤、洲明、維信諾等材料、器件及顯示應用的多家重要院校、企業加入了專委會。

新能源汽車用第三代半導體器件檢測及標準研討會上，浙江大學電氣工程學院院長、長江學者盛況教授，株洲中車時代電氣股份有限公司副總工程師劉國友，精進電動科技股份有限公司創始人兼首席技術官蔡蔚，國家新能源汽車技術創新中心鄭廣州，北京理工大學副教授宋強，上海電驅動股份有限公司北京分公司總經理張琴，深圳比亞迪電子有限公司&高級器件研發經理吳海平，一汽新能源研究院電機電控所功率電子工程師李敏，中國電子科技集團公司第五十五研究所國揚公司副總經理滕鶴松，泰科天潤半導體科技(北京)有限公司技術總經理陳彤，中科院電工所研究員徐菊，廈門芯光潤澤科技有限公司營運長黃以明等專家學者及業內人士共約30多人就第三代半導體在新能源汽車中應用的檢測、標準問題進行了深入探討，著手籌備啟動聯盟新能源汽車專委會，共建大平臺。