作為第二代半導體,砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導體貴族”之稱。昨天,中國科學家宣佈已掌握一種生産這種材料的新技術,使我國成為繼日本、德國之後掌握這一技術的又一國家。
昨天,北京有色金屬研究總院宣佈,國內成功拉制出了第一根直徑4英寸的VCZ半絕緣砷化鎵單晶。據專家介紹砷化鎵可在一塊晶片上同時處理光電數據,因而被廣泛應用於遙控、手機、DVD電腦外設、照明等諸多光電子領域。另外,因其電子遷移率比硅高6倍,砷化鎵成為超高速、超高頻器件和積體電路的必需品。它還被廣泛使用於軍事領域,是鐳射制導導彈的重要材料,曾在海灣戰爭中大顯神威,贏得“砷化鎵打敗鋼鐵”的美名。
據悉,砷化鎵單晶片的價格大約相當於同尺寸硅單晶片的20至30倍。儘管價格不菲,目前國際上砷化鎵半導體的年銷售額仍在10億美元以上。在“十五”計劃中,我國將實現該産品的産業化,以佔據國際市場。
《北京晨報》2001年7月30日
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