作為第二代半導體，砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導體貴族”之稱。昨天，中國科學家宣佈已掌握一種生産這種材料的新技術，使我國成為繼日本、德國之後掌握這一技術的又一國家。

    昨天，北京有色金屬研究總院宣佈，國內成功拉制出了第一根直徑４英寸的ＶＣＺ半絕緣砷化鎵單晶。據專家介紹砷化鎵可在一塊晶片上同時處理光電數據，因而被廣泛應用於遙控、手機、ＤＶＤ電腦外設、照明等諸多光電子領域。另外，因其電子遷移率比硅高６倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和積體電路的必需品。它還被廣泛使用於軍事領域，是鐳射制導導彈的重要材料，曾在海灣戰爭中大顯神威，贏得“砷化鎵打敗鋼鐵”的美名。

    據悉，砷化鎵單晶片的價格大約相當於同尺寸硅單晶片的２０至３０倍。儘管價格不菲，目前國際上砷化鎵半導體的年銷售額仍在１０億美元以上。在“十五”計劃中，我國將實現該産品的産業化，以佔據國際市場。

    《北京晨報》2001年7月30日