美國半導體産業協會日前正式公佈了國際半導體技術藍圖2001年版。從整體感覺上看，技術進步的時代區分和技術節點有所變化，技術更新的步伐有所加快。但與去年公佈的“2000update”技術藍圖的每3年將尺寸縮小30％的原則沒有太大區別。可以看出，半導體技術的細小化進程仍在按原計劃進行。

    根據此次公佈的藍圖，2004年國際半導體的技術規格將達到90奈米，2007年為65奈米，2010年為45奈米，2013年為32奈米，2016年為22奈米。在“2000update”中，2004年為90奈米，2008年為60奈米，2011年為40奈米，2014年為30奈米。2001年版和“2000update”的另一個區別是，“2000update”公佈的藍圖預測至2014年，而2001年版則將預測延長至2016年。根據2001年版預測，2016年的門電路長從物理上説可以達到9奈米。

    《北京晚報》2001年12月11日