Si-MOSFET（超結MOSFET）VBsemi新品MOS管技術介紹科普

微碧半導體（VBsemi）最新推出的Si-MOSFET（超結MOSFET）是一款具有優異性能和廣泛應用領域的新産品。Si-MOSFET根據製造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導致導通電阻增加的問題。而超結MOSFET通過在D端和S端排列多個垂直pn結的結構來解決這個問題，實現了在保持高電壓的同時降低導通電阻。

【硅的理論極限和超越硅極限的超級結】

超結MOSFET的優勢在於其具有高耐壓和低電阻的特點。相較于普通高壓VDMOS，超結MOSFET的導通電阻遠小，適用於高能效和高功率密度的快速開關應用。此外，超結MOSFET的額定電壓越高，導通電阻的下降越明顯，使其在中低功率水準下的高速運作非常適合。

【左邊是平面MOS，右邊是超結MOS】

超結MOSFET的製造工藝相較于常規MOSFET更加複雜，主要體現在溝槽的填充外延製造方法上。超級結MOSFET通過使溝槽和溝槽間距盡可能小和深，設計具有較低電阻的N層，實現了低導通電阻産品。

【超級結中，trr比平面MOSFET快，irr電流更大】

超結MOSFET相較于平面MOSFET具有更大的pn結面積，因此在內部二極體的反向電流和反向恢復時間方面存在一些問題。雖然超結MOSFET的trr比平面MOSFET快，但irr電流更大。

以下是Si-MOSFET的常規製造工藝和超結製造工藝的對比：

【常規MOS製造工藝】

【超級結的溝槽填充外延製造方法】

此外，Si-MOSFET還與其他器件進行了功率和頻率的比較，如IGBT、碳化矽MOS、平面/超結MOS等。

【IGBT、碳化矽MOS、平面/超結MOS的功率和頻率比較】

微碧半導體的Si-MOSFET系列産品以其先進的生産工藝、優良的性能和可靠的品質在各個領域得到廣泛應用。Si-MOSFET適用於電源、電機控制、照明等領域，特別適合於中低功率水準下的高速運作需求。

以下是Si-MOSFET的一些關鍵特點和優勢：

高耐壓：Si-MOSFET具有高額定電壓，能夠在高壓環境下穩定工作。

低導通電阻：Si-MOSFET的導通電阻遠小于傳統平面MOSFET，能夠提供更高的效率和功率密度。

高速開關：Si-MOSFET的超級結結構使其具有快速開關特性，適用於高頻率應用。

可靠性：Si-MOSFET的産品品質可靠，性能穩定，適用於各種嚴苛的工作環境。

【VBsemi Si-MOSFET部分型號展示】

微碧半導體Si-MOSFET系列産品將在2023慕尼黑上海電子展上進行展示。展會將於2023年7月11日至13日在上海國家會展中心舉行。此次將展示其最新的Si-MOSFET産品系列，包括SJ-MOSFET、SGT-MOSFET、平面和溝槽工藝的MOSFET和IGBT等。

【VBsemi新品參數展示】

作為一家國家級高新技術企業，微碧半導體致力於推動半導體器件技術的發展，併為客戶提供創新的解決方案。

因此，我們誠摯地邀請新老客戶前往2023慕尼黑上海電子展7.2H-A606參觀微碧半導體的展位。了解最新半導體器件技術和趨勢。這將是一個了解行業發展前景的絕佳機會。期待您的光臨！